2T866A, Transistors KT866A

2T866A
Transistors 2T866A silicon epitaxial planar structures npn switching.
Designed for use in switching devices, the secondary power sources.
Produced in a sintered body with flexible leads.
instrument type indicated on the package.
transistor weight no more than 7 g
Body type: CT - 57.
Specifications: aA0.339.431 TU.

The main technical characteristics of the transistor 2T866A:
• The structure of transistor: npn;
• Pk t max - constant power dissipation collector with the heat sink: 30 W;
• fgr - transistor current gain cutoff frequency for the common - emitter circuit: more than 25 MHz;
• Ukbo max - The maximum collector - base voltage at a predetermined reverse current collector and emitter open circuit: 200;
• Uebo max - maximum voltage of the emitter - base reverse current at a given emitter and open collector circuit 4;
• Ik max - The maximum permissible DC Collector Current: 20 A;
• Ik and max - maximum allowable pulse collector current: 20 A;
• Ikbo - Reverse current collector - the current through the collector junction reverse voltage for a given collector - base and emitter deriving open: no more than 25 mA (100B);
• h21e - Static transistor current gain for the circuits with a common emitter: more than 15;
• Cc - The capacity of the collector junction: not more than 400 pF;
• Rke us - saturation resistance between the collector and emitter: no more than 0.15 ohms;
• toff - Off Time : : no more than 450 ns

Specifications 2T866A transistors KT866A:

A type transistor	Structure	Limit values for the parameters T = 25 ° C						Parameter values at T = 25 ° C								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК. Т.  max	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	IКЭR	f гp.	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	мА	мА	мА	МГц	пФ	пФ	°С	°С
2Т866А	n - p - n	20	20	160	200	4	30	15…100				-	25		-	200	- 60… + 125
КТ866А	n - p - n	20	20	160	200	4	30	15…100				-	25		-	200	- 60… + 125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И.  max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор - база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т.  max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО - обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер - база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер и сопротивлении в цепи база - эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.