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太阳能级单晶硅棒(锭)型号: 6英吋(Φ152mm)、8英吋(Φ203mm)  简介:      Ø技术参数    生产方法    	    柴氏法CZ    	    型号掺杂    	    P/N型掺硼/磷    晶向偏差    	    100±2°    	    氧含量    	    ≤1.0×1018 atoms/cm3    碳含量    	    ≤5.0×1016 atoms/cm3     	    少子寿命    	    >10μs     电阻率    	    0.5-3Ω buy in Urumqi
ALL.BIZ China China products Electronic Components & Supplies Semiconductor components and devices Semiconductors Silicon plates for semi-conductor devices 太阳能级单晶硅棒(锭)型号: 6英吋(Φ152mm)、8英吋(Φ203mm) 简介: Ø技术参数 生产方法 柴氏法CZ 型号掺杂 P/N型掺硼/磷 晶向偏差 100±2° 氧含量 ≤1.0×1018 atoms/cm3 碳含量 ≤5.0×1016 atoms/cm3 少子寿命 >10μs 电阻率 0.5-3Ω
Buy 太阳能级单晶硅棒(锭)型号: 6英吋(Φ152mm)、8英吋(Φ203mm) 简介: Ø技术参数 生产方法 柴氏法CZ 型号掺杂 P/N型掺硼/磷 晶向偏差 100±2° 氧含量 ≤1.0×1018 atoms/cm3 碳含量 ≤5.0×1016 atoms/cm3 少子寿命 >10μs 电阻率 0.5-3Ω
太阳能级单晶硅棒(锭)型号: 6英吋(Φ152mm)、8英吋(Φ203mm) 简介: Ø技术参数 生产方法 柴氏法CZ 型号掺杂 P/N型掺硼/磷 晶向偏差 100±2° 氧含量 ≤1.0×1018 atoms/cm3 碳含量 ≤5.0×1016 atoms/cm3 少子寿命 >10μs 电阻率 0.5-3Ω

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China, Urumqi
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Description
型号:6英吋(Φ152mm)、8英吋(Φ203mm) 简介:

Ø技术参数

生产方法 柴氏法CZ 型号掺杂 P/N型掺硼/磷
晶向偏差 100±2° 氧含量 ≤1.0×1018 atoms/cm3
碳含量 ≤5.0×1016 atoms/cm3 少子寿命 >10μs
电阻率 0.5-3Ω.cm 3-6Ω.cm 位错 ≤2000/cm2

Ø注意事项:

硅棒脆性较大,运输及使用过程中要注意轻拿轻放

用途:应用于太阳能级单晶硅片的生产 厂商:

特变电工新疆新能源股份有限公司

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太阳能级单晶硅棒(锭)型号: 6英吋(Φ152mm)、8英吋(Φ203mm) 简介: Ø技术参数 生产方法 柴氏法CZ 型号掺杂 P/N型掺硼/磷 晶向偏差 100±2° 氧含量 ≤1.0×1018 atoms/cm3 碳含量 ≤5.0×1016 atoms/cm3 少子寿命 >10μs 电阻率 0.5-3Ω
太阳能级单晶硅棒(锭)型号: 6英吋(Φ152mm)、8英吋(Φ203mm)  简介:      Ø技术参数    生产方法    	    柴氏法CZ    	    型号掺杂    	    P/N型掺硼/磷    晶向偏差    	    100±2°    	    氧含量    	    ≤1.0×1018 atoms/cm3    碳含量    	    ≤5.0×1016 atoms/cm3     	    少子寿命    	    >10μs     电阻率    	    0.5-3Ω
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